作為目前SSD和多數(shù)存儲設(shè)備的技術(shù)基礎(chǔ)，閃存顆粒的價格隨著技術(shù)的進步必然是朝著更加低廉的方向前進的。
不久的過去，當TLC閃存面世之后，曾經(jīng)引發(fā)過一場持續(xù)至今的爭論。而就在我們還沉浸在MLC還是TLC的選擇問題時，更加“喪心病狂”的QLC閃存已經(jīng)來到了我們的面前。
我們剛剛拿到了一款來自三星的860QVO 容量為1TB，這是三星首款QLC閃存顆粒的SSD產(chǎn)品。那么它的表現(xiàn)究竟如何呢？
什么是QLC？
NAND閃存的基礎(chǔ)單元被稱作Cell，如果每個Cell只存儲一個bit的數(shù)據(jù)也就是傳統(tǒng)的SLC（Single-Level Cell ）顆粒，如果存儲2bit數(shù)據(jù)則稱為MLC（Multi-Level Cell）顆粒，以此類推，TLC（Trinary-Level Cell）則為3bit，而QLC每個Cell中的數(shù)據(jù)達到了4bit。
隨著bit數(shù)量的增加，帶來的好處是同樣規(guī)模的顆?？梢源鎯Ω嗟臄?shù)據(jù)，從而實現(xiàn)SSD容量上的大規(guī)模提升。而這樣帶來的副作用是更繁瑣的尋址帶來的快速老化和同容量下更低的性能。
三星首款QLC SSD——860QVO
860QVO是三星首款QLC閃存的產(chǎn)品，考慮到QLC的特性，所以為了實現(xiàn)比較高的性能，三星選擇了大容量策略，容量1TB起步，最高達到4TB。
目前上市的僅有2.5英寸SATA3接口的版本，M.2接口和MSATA接口的版本暫未上市。
拆開外殼我們可以看到這款容量高達1TB的SSD產(chǎn)品僅采用了一塊大小僅相當于兩張多一點標準SD卡大小的PCB。而更夸張的是使用單芯片封裝實現(xiàn)了1TB的容量。
這顆64層堆疊的4bit MLC（QLC）NAND芯片的容量達到了1TB！官方質(zhì)保的壽命為360TBW或三年，也就是360次全盤寫入，是相同容量860EVO 600TBW的一半。
但如果算下來的話，每天的寫入量需要達到328GB才可以在三年內(nèi)消耗完，這樣的壽命很顯然還是非常夠用的。
背部還預(yù)留了一個空焊的位置，估計2TB版本將共享同款PCB。
主控采用了三星的MJX主控，基于ARM架構(gòu)，與860evo使用的為同系列產(chǎn)品。
860QVO采用了一顆1GB的DDR4緩存。除此之外，三星還準備了6GB的模擬SLC緩存和36GB-72GB的智能緩存來保證日常速度。
官方標稱數(shù)據(jù)方面，1TB版的持續(xù)讀取性能為550MB/s，持續(xù)寫入性能為520MB/s。4K隨機讀寫（QD32）性能達到96K和86K IOPS。
不久的過去，當TLC閃存面世之后，曾經(jīng)引發(fā)過一場持續(xù)至今的爭論。而就在我們還沉浸在MLC還是TLC的選擇問題時，更加“喪心病狂”的QLC閃存已經(jīng)來到了我們的面前。
我們剛剛拿到了一款來自三星的860QVO 容量為1TB，這是三星首款QLC閃存顆粒的SSD產(chǎn)品。那么它的表現(xiàn)究竟如何呢？
什么是QLC？
NAND閃存的基礎(chǔ)單元被稱作Cell，如果每個Cell只存儲一個bit的數(shù)據(jù)也就是傳統(tǒng)的SLC（Single-Level Cell ）顆粒，如果存儲2bit數(shù)據(jù)則稱為MLC（Multi-Level Cell）顆粒，以此類推，TLC（Trinary-Level Cell）則為3bit，而QLC每個Cell中的數(shù)據(jù)達到了4bit。
隨著bit數(shù)量的增加，帶來的好處是同樣規(guī)模的顆?？梢源鎯Ω嗟臄?shù)據(jù)，從而實現(xiàn)SSD容量上的大規(guī)模提升。而這樣帶來的副作用是更繁瑣的尋址帶來的快速老化和同容量下更低的性能。
三星首款QLC SSD——860QVO
860QVO是三星首款QLC閃存的產(chǎn)品，考慮到QLC的特性，所以為了實現(xiàn)比較高的性能，三星選擇了大容量策略，容量1TB起步，最高達到4TB。
目前上市的僅有2.5英寸SATA3接口的版本，M.2接口和MSATA接口的版本暫未上市。
拆開外殼我們可以看到這款容量高達1TB的SSD產(chǎn)品僅采用了一塊大小僅相當于兩張多一點標準SD卡大小的PCB。而更夸張的是使用單芯片封裝實現(xiàn)了1TB的容量。
這顆64層堆疊的4bit MLC（QLC）NAND芯片的容量達到了1TB！官方質(zhì)保的壽命為360TBW或三年，也就是360次全盤寫入，是相同容量860EVO 600TBW的一半。
但如果算下來的話，每天的寫入量需要達到328GB才可以在三年內(nèi)消耗完，這樣的壽命很顯然還是非常夠用的。
背部還預(yù)留了一個空焊的位置，估計2TB版本將共享同款PCB。
主控采用了三星的MJX主控，基于ARM架構(gòu)，與860evo使用的為同系列產(chǎn)品。
860QVO采用了一顆1GB的DDR4緩存。除此之外，三星還準備了6GB的模擬SLC緩存和36GB-72GB的智能緩存來保證日常速度。
官方標稱數(shù)據(jù)方面，1TB版的持續(xù)讀取性能為550MB/s，持續(xù)寫入性能為520MB/s。4K隨機讀寫（QD32）性能達到96K和86K IOPS。
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